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纳米级单极性脉冲电源 赋能半导体芯片封装等离子清洗工艺
日期:2025/12/19 10:46:29 人气:52

在半导体芯片封装去胶、晶圆键合前活化、光刻前预处理、精密元器件表面改性等半导体制造核心场景中,脉冲电源的输出均匀性、无损伤控制及参数精准度,直接决定芯片良率、封装可靠性与器件长期运行稳定性。传统脉冲电源普遍存在单极性输出波动大、等离子体密度不均、难以适配纳米级精细结构处理需求等问题,常导致芯片表面残胶残留、键合强度不足、界面空洞等痛点,制约半导体工艺向3nm及以下先进节点演进。而具备“纳米级精准控能”“低损伤等离子激发”特性的纳米级单极性脉冲电源,已成为破解半导体芯片封装清洗工艺难题的核心装备,契合半导体产业高质量发展需求。

苏州渊禄智能科技有限公司聚焦半导体高端制造领域的严苛供电需求,推出新一代纳米级单极性脉冲电源,凭借三大核心技术突破,为芯片封装等离子清洗等工艺升级提供定制化解决方案。其一,高精参数宽域调控,支持输出电压0-50V、电流0-200A宽范围调节,脉冲频率13.56MHz-27MHz双频可调,脉冲宽度0.01μs-50μs精细设定,电流精度≤±0.03%,可灵活匹配氧气、氢气、氩气等不同工作气体,适配硅基、化合物半导体等不同基材的清洗改性需求;其二,纳米级均匀输出,采用分布式射频电极驱动设计与多闭环反馈控制,等离子体密度偏差≤3%,有效保障12英寸晶圆全域清洗均匀性,避免局部残胶或基材损伤;其三,低损伤工艺适配,集成低能等离子体模式,离子轰击能量可控制在8eV以下,搭配EMC六级滤波设计,输出纹波系数≤0.02%,满足敏感器件无损伤处理要求,设备防护等级达IP67,适配半导体洁净车间Class 100级环境24小时连续运行。
在场景适配与性能优化上,该纳米级单极性脉冲电源针对性突破不同场景核心痛点:针对半导体芯片封装去胶场景,定制“梯度能量剥离”脉冲方案,可高效去除封装腔体有机残胶,无化学试剂残留,去胶均匀性达99.8%以上,芯片良率提升8%-12%,符合半导体制造洁净度标准;针对晶圆键合前活化场景,优化脉冲能量投递模式,在晶圆表面引入大量羟基、羧基活性基团,使键合界面结合力提升至兆帕级,大幅降低界面空洞率至0.05%以下;针对光刻前预处理场景,推出疏水转亲水定制功能,30秒内即可完成晶圆表面改性,光刻胶与基底附着力提升35%以上,减少光刻图案转移失真问题,充分发挥单极性脉冲电源在纳米级处理中的核心优势。
技术创新之外,苏州渊禄构建了“半导体制造专属”全流程定制服务体系,精准匹配半导体企业差异化需求。前期,技术团队深入半导体晶圆厂、芯片封装测试企业,梳理基材特性、工艺节点、洁净等级、产能节拍等核心参数,结合半导体制造工艺规范及相关行业标准,输出“脉冲参数匹配+等离子体优化+能耗控制”一体化解决方案;中期,采用严苛品控流程,产品需通过纳米级输出精度测试、长时负载稳定性测试、电磁兼容测试、洁净室适配性测试等16项专项检测,定制周期控制在12-18个工作日,支持小批量试产与批量快速交付;后期,提供“洁净室专属安装调试+技术培训+远程运维”全周期服务,7×24小时快速响应技术咨询,为客户提供工艺参数优化、设备定期校准等专业建议,保障半导体生产线稳定高效运行。
目前,该纳米级单极性脉冲电源已在多个半导体先进制造项目中成功落地:为某头部半导体封装企业定制的150A芯片封装去胶专用电源,将芯片封装良率从92.3%提升至99.1%,相关产品已配套3nm工艺芯片量产线;为晶圆制造企业配套的100A晶圆键合活化电源,成功解决大尺寸晶圆键合强度不足问题,键合界面可靠性通过10000小时高温高湿老化测试;为半导体设备商定制的80A光刻预处理电源,适配先进制程光刻工艺需求,助力客户设备通过半导体巨头供应链认证。
未来,苏州渊禄将持续深耕半导体制造领域的单极性脉冲电源技术迭代,重点聚焦异质集成封装、柔性半导体、量子芯片制造等新兴场景,研发更智能的参数自适应调控、更低损伤、更高能效的定制化方案。以“纳米级精准控能、低损伤稳定输出、全域均匀适配”的脉冲电源产品,助力半导体产业突破先进制程工艺瓶颈,推动半导体制造向更高精度、更高可靠性方向发展,为全球半导体产业高质量发展提供核心装备支撑。
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